10AX066H3F34E2SG 100% Яңа һәм оригиналь изоляция көчәйткеч 1 схема дифференциаль 8-SOP
Продукт сыйфатлары
EU RoHS | Тапшыру |
ECCN (АКШ) | 3A001.a.7.b |
Партия статусы | Актив |
ХТС | 8542.39.00.01 |
Автомобиль | No |
PPAP | No |
Фамилия | Arria® 10 GX |
Процесс технологиясе | 20нм |
Кулланучы I / Os | 492 |
Регистрлар саны | 1002160 |
Эш белән тәэмин итү көчәнеше (V) | 0.9 |
Логик элементлар | 660000 |
Күп тапкырлаучылар саны | 3356 (18х19) |
Программаның хәтер төре | SRAM |
Урнаштырылган хәтер (Кбит) | 42660 |
Блок RAMның гомуми саны | 2133 |
Логик берәмлекләр | 660000 |
DLLs / PLLs җайланмасы саны | 16 |
Күчергеч каналлар | 24 |
Күчергеч тизлеге (Gbps) | 17.4 |
DSP багышланган | 1678 |
PCIe | 2 |
Программалаштыру | Әйе |
Репрограммалаштыру ярдәме | Әйе |
Күчерүне саклау | Әйе |
Системада программалашу | Әйе |
Тизлек дәрәҗәсе | 3 |
Бердәнбер I / O стандартлары | LVTTL | LVCMOS |
Тышкы хәтер интерфейсы | DDR3 SDRAM | DDR4 | LPDDR3 | RLDRAM II | RLDRAM III | QDRII + SRAM |
Минималь эш белән тәэмин итү көчәнеше (V) | 0.87 |
Оператив тәэмин итү максималь көчәнеше (V) | 0.93 |
I / O көчәнеш (V) | 1.2 | 1.25 | 1.35 | 1.5 | 1.8 | 2,5 | 3 |
Минималь эш температурасы (° C) | 0 |
Максималь эш температурасы (° C) | 100 |
Тапшыручының температурасы | Киңәйтелгән |
Сәүдә исеме | Аррия |
Монтаж | Faceир өсте |
Пакет биеклеге | 2.63 |
Пакет киңлеге | 35 |
Пакет озынлыгы | 35 |
PCB үзгәрде | 1152 |
Стандарт пакет исеме | BGA |
Тапшыручы пакет | ФК-ФБГА |
Санау | 1152 |
Кургаш формасы | Туп |
Интеграль схема тибы
Электроннар белән чагыштырганда, фотоннарның статик массасы юк, зәгыйфь үзара бәйләнеше, көчле анти-интерфейс сәләте юк, һәм мәгълүмат тапшыру өчен кулайрак.Оптик үзара бәйләнеш энергия куллану стенасын, саклагыч стенаны һәм элемтә диварын өзәр өчен төп технология булыр дип көтелә.Яктырткыч, куплер, модульатор, дулкынландыргыч җайланмалар фотоэлектрик интеграль микро система кебек югары тыгызлыктагы оптик үзенчәлекләргә интеграцияләнәләр, югары тыгызлыктагы фотоэлектрик интеграциянең сыйфатын, күләмен, энергия куллануны, фотоэлектрик интеграция платформасын кертеп, III - V кушылма ярымүткәргеч монолит интеграль (INP) ) пассив интеграция платформасы, силикат яки пыяла (планета оптик дулкынландыргыч, PLC) платформасы һәм кремний нигезендәге платформа.
InP платформасы, нигездә, лазер, модульатор, детектор һәм башка актив җайланмалар җитештерү өчен кулланыла, түбән технология дәрәҗәсе, югары субстрат бәясе;Пассив компонентлар, аз югалту, зур күләмдә җитештерү өчен PLC платформасын куллану;Ике платформадагы иң зур проблема - материалларның кремний нигезендәге электроника белән туры килмәве.Кремнийга нигезләнгән фотоник интеграциянең иң күренекле өстенлеге - процесс CMOS процессына туры килә һәм җитештерү бәясе түбән, шуңа күрә ул иң потенциаль оптоэлектрон һәм хәтта бөтен оптик интеграция схемасы булып санала.
Кремнийга нигезләнгән фотоник җайланмалар һәм CMOS схемалары өчен ике интеграция ысулы бар.
Элеккесенең өстенлеге шунда: фотоник җайланмалар һәм электрон җайланмалар аерым оптимальләштерелергә мөмкин, ләкин алдагы төрү авыр һәм коммерция кушымталары чикләнгән.Соңгысы ике җайланманың интеграциясен проектлау һәм эшкәртү авыр.Хәзерге вакытта атом кисәкчәләре интеграциясенә нигезләнгән гибрид җыю иң яхшы сайлау