заказ_бг

продуктлар

TO-252 IPD33CN10NG Qualityгары сыйфатлы чип транзисторы белән яңа һәм оригиналь бәя

кыска тасвирлау:


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Продукт сыйфатлары

ТYР ТӘРESЕМӘ
Төркем Дискрет ярымүткәргеч продуктлары

Транзисторлар - FET, MOSFETs - Ялгыз

Mfr Инфинон технологияләре
Серияләр OptiMOS ™
Пакет Магнитофон һәм ролик (TR)

Киселгән тасма (КТ)

Digi-Reel®

Продукция торышы Актив
FET тибы N-Channel
Технология MOSFET (металл оксиды)
Чыганак көчәнешенә агызыгыз (Vdss) 100 V.
Агым - өзлексез дренаж (Id) @ 25 ° C. 27A (Tc)
Драйвер көчәнеше (Макс Rds On, Min Rds On) 10В
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 33mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Ид 4V @ 29µA
Капка заряды (Qg) (Макс) @ Vgs 24 nC @ 10 V.
Vgs (Макс) ± 20В
Керү сыйдырышлыгы (Ciss) (Макс) @ Vds 1570 pF @ 50 V.
FET үзенчәлеге -
Көч тарату (Макс) 58W (Tc)
Эш температурасы -55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
Монтаж төре Faceир өсте
Тапшыручы җайланма пакеты PG-TO252-3
Пакет / очрак TO-252-3, DPak (2 лидер + кыстыргыч), SC-63
Төп продукт саны IPD33CN10

Продукт турында мәгълүмат

Охшаш карау

Документлар һәм Медиа

Ресурс төре LINK
Мәгълүматлар IPx3xCN10N G.
Башка бәйләнешле документлар Партия номеры
Күрсәтелгән продукт Мәгълүмат эшкәртү системалары
HTML мәгълүматлар таблицасы IPx3xCN10N G.
Симуляция модельләре MOSFET OptiMOS ™ 100V N-канал тәмләткеч моделе

Экологик һәм экспорт классификацияләре

АТРИБУТ ТӘРESЕМӘ
RoHS статусы ROHS3 туры килә
Дымга сизгерлек дәрәҗәсе (MSL) 1 (Чикләнмәгән)
Статуска ирешү .Әр сүзнең
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Өстәмә ресурслар

АТРИБУТ ТӘРESЕМӘ
Башка исемнәр IPD33CN10NGATMA1-ND

IPD33CN10NGATMA1CT

IPD33CN10NGATMA1TR

SP001127812

IPD33CN10NGATMA1DKR

Стандарт пакет 2500

Транзистор - ярымүткәргеч җайланма, ул гадәттә көчәйткечләрдә яки электрон контроль ачкычларда кулланыла.Транзисторлар - компьютерларның, кәрәзле телефоннарның һәм бүтән заманча электрон схемаларның эшләвен көйләүче төп блоклар.

Аларның тиз җавап тизлеге һәм югары төгәллеге аркасында транзисторлар санлы һәм аналог функцияләр өчен кулланылырга мөмкин, шул исәптән көчәйтү, күчү, көчәнеш көйләүчесе, сигнал модуляциясе һәм осиллатор.Транзисторларны индивидуаль яисә бик кечкенә мәйданда урнаштырырга мөмкин, алар интеграль схема кысаларында 100 миллион яки күбрәк транзистор тотып тора ала.

Электрон труба белән чагыштырганда, транзисторның күп өстенлекләре бар:

Компонентның куллануы юк

Труба нинди генә яхшы булмасын, катод атомнарының үзгәрүе һәм хроник һава агып китүе аркасында әкренләп начарайячак.Техник сәбәпләр аркасында, транзисторлар беренче ясалганда шул ук проблемага дучар булдылар.Материалларның алга китүе һәм күп якларның камилләшүе белән, транзисторлар гадәттә электрон торбаларга караганда 100-1000 тапкыр озаграк тора.

Бик аз көч кулланыгыз

Бу электрон трубаның уннан бере яки дистәсе.Электрон труба кебек ирекле электроннар чыгару өчен филаментны җылытырга кирәкми.Транзистор радиосына елына алты ай тыңлау өчен берничә коры батарея кирәк, моны труба радиосы өчен эшләү кыен.

Алдан җылытырга кирәкми

Аны кабызганнан соң эшләгез.Мәсәлән, транзистор радиосы кабызылганнан соң сүнә, һәм транзистор телевидениесе кабызылганнан соң рәсем куя.Вакуум труба җиһазлары моны эшли алмый.Ботинкадан соң тавышны ишетү өчен бераз көтегез, рәсемне карагыз.Билгеле, хәрби, үлчәү, язу һ.б. транзисторлар бик отышлы.

Көчле һәм ышанычлы

Электрон трубага караганда 100 тапкыр ышанычлырак, шокка каршы тору, тибрәнү каршылыгы, бу электрон труба белән чагыштыргысыз.Моннан тыш, транзисторның зурлыгы электрон трубаның зурлыгының уннан береннән йөзенә кадәр, бик аз җылылык чыгару, кечкенә, катлаулы, ышанычлы схемалар проектлау өчен кулланыла ала.Транзистор җитештерү процессы төгәл булса да, процесс гади, бу компонентларның урнаштыру тыгызлыгын яхшырту өчен ярдәм итә.


  • Алдагы:
  • Алга:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез