Ярымүткәргечләр Электрон компонентлар TPS7A5201QRGRRQ1 Ic Chips BOM сервисы Бер урын сатып алу

Чипларга күзәтү

(i) чип нәрсә ул

Интеграль схема, кыскартылган IC;яки микрокирк, микрочип, чип - миниатюризация схемалары (нигездә ярымүткәргеч җайланмалар, ләкин шулай ук ​​пассив компонентлар һ.б.), һәм еш ярымүткәргеч вафер өслегендә җитештерелә.

(ii) чип җитештерү процессы

Чип ясауның тулы процессы үз эченә чип дизайны, вафер ясау, пакет ясау һәм сынау кертә, алар арасында вафер ясау процессы аеруча катлаулы.

Беренчесе - чип дизайны, дизайн таләпләренә туры китереп, барлыкка килгән "үрнәк", чипның чималы - вафер.

Вафин кремнийдан эшләнгән, ул кварц комыннан чистартылган.Вафин - чистартылган кремний элементы (99,999%), аннары саф кремний кремний чыбыкларына ясала, алар интеграль схемалар өчен кварц ярымүткәргечләр җитештерү өчен материал булып торалар, алар чип җитештерү өчен ваферларга бүленәләр.Вафер нечкә булса, җитештерү бәясе түбәнрәк, ләкин процесс шулкадәр таләпчән.

Вафер каплау

Вафер каплау оксидлашуга һәм температурага каршы тора һәм фоторезистның бер төре.

Вафер фотолитографик үсеш һәм эфир

Фотолитография процессының төп агымы түбәндәге схемада күрсәтелгән.Беренчедән, фоторесист катламы вафин (яки субстрат) өслегенә кулланыла һәм киптерелә.Кипкәч, вафат литография машинасына күчерелә.Яктылык маска аша үрнәкне вафер өслегендәге фоторесистка юнәлтү өчен, фотохимик реакциягә тәэсир итә һәм стимуллаштыра.Аннары ачылган вафиннар икенче тапкыр пешерелә, экспозициядән соң пешерү дип атала, анда фотохимик реакция тулырак.Ниһаять, уйлап табучы вафин өслегендәге фоторесистка сиптерелә.Developmentсештән соң маскадагы үрнәк фоторесистта кала.

Ябыштыру, пешерү, үстерү - болар барысы да эшләнгән эшкәртүдә һәм экспозиция фотолитографта башкарыла.Саклаучы һәм литография машинасы, гадәттә, робот ярдәмендә берәмлекләр һәм машина арасында күчерелә.Экспозиция һәм үсеш системасы бөтен ябык, ваферлар әйләнә-тирә мохиткә турыдан-туры тәэсир итмиләр, әйләнә-тирәдәге зарарлы компонентларның фоторесист һәм фотохимик реакцияләргә тәэсирен киметү өчен.

Пычраклар белән допинг

Тиешле P һәм N тибындагы ярымүткәргечләр чыгару өчен вонга ион кертү.

Вафер тесты

Aboveгарыдагы процесслардан соң, ваферда балчык тактасы барлыкка килә.Dieәр үлгәннең электр характеристикалары пин тест ярдәмендә тикшерелә.

Пакетлау

.Итештерелгән ваферлар тоташтырылган, кадакларга бәйләнгән һәм таләпләр буенча төрле пакетларга ясалган, шуңа күрә бер үк чип үзәген төрлечә төрергә мөмкин.Мәсәлән, DIP, QFP, PLCC, QFN һ.б.Монда ул, нигездә, кулланучының куллану гадәтләре, куллану мохите, базар форматы һәм башка периферик факторлар белән билгеләнә.

Тест, төрү

Aboveгарыдагы процесстан соң, чип җитештерү тәмамланды.Бу адым - чипны сынау, җитешсез продуктларны бетерү һәм пакетлау.

Ваферлар белән чиплар арасындагы бәйләнеш

Чип бердән артык ярымүткәргеч җайланмадан тора.Ярымүткәргечләр, гадәттә, диодлар, триодлар, кыр эффект трубалары, кечкенә көч резисторлары, индуктивлык кәтүкләре, конденсаторлар һ.б.

Бу атом ядросындагы ирекле электроннарның концентрациясен түгәрәк коедагы үзгәртү өчен, атом үзәгенең физик үзлекләрен үзгәртү өчен күп (электрон) яки берничә (тишек) уңай яки тискәре корылма чыгару өчен техник чаралар куллану. төрле ярымүткәргечләр формалаштыралар.

Кремний һәм германий гадәттә ярымүткәргеч материаллар булып кулланыла, аларның характеристикалары һәм материаллары бик күп күләмдә һәм бу технологияләрдә куллану өчен аз бәядә.

Кремний вафин күп санлы ярымүткәргеч җайланмалардан тора.Ярымүткәргечнең функциясе, әлбәттә, кирәк булган схеманы формалаштыру һәм кремний вафында булу.