AQX IRF7416TRPBF Яңа һәм оригиналь интеграль схема ic чипы IRF7416TRPBF

Продукт сыйфатлары

Документлар һәм Медиа

Экологик һәм экспорт классификацияләре

Өстәмә ресурслар

IRF7416

Файдасы
Киң SOA өчен планар күзәнәк структурасы
Бүләк партнерларының иң киң мөмкинлеге өчен оптимальләштерелгән
JEDEC стандарты буенча продукт квалификациясе
Кремний <100КГц астыннан күчү өчен оптимальләштерелгән
Промышленность стандарт өслек-монтаж көче
Дулкынлы эретелгән булырга мөмкин
SO-8 пакетында бер-бер каналлы HEXFET Power MOSFET
Файдасы
RoHS туры килә
Түбән RDS (кабызылган)
Сәнәгатьнең алдынгы сыйфаты
Динамик dv / dt Рейтинг
Тиз күчү
Кар көчле бәяләнде
175 ° C Эш температурасы
P-Channel MOSFET

Транзистор

Транзистор аярымүткәргеч җайланмасыияләнгәнкөчәйтүякикүчерүэлектр сигналлары һәмкөче.Транзистор - заманча төп төзелеш блокларының берсеэлектроника.[1]Улярымүткәргеч материал, гадәттә ким дигәндә өч беләнтерминалларэлектрон схемага тоташу өчен.А.көчәнешякитокбер пар транзистор терминалына кулланылган токны бүтән пар терминал аша контрольдә тота.Контроль (чыгу) көче контроль (кертү) көченнән югарырак булырга мөмкин, транзистор сигналны көчәйтә ала.Кайбер транзисторлар аерым пакетланган, ләкин тагын бик күп урнаштырылганинтеграль схемалар.

Австро-Венгр физик Jлий Эдгар Лилиенфельдтөшенчәсен тәкъдим иттекыр-эффект транзисторы1926-нчы елда, ләкин ул вакытта эш җайланмасы төзү мөмкин булмаган.[2]Беренче эш җайланмасы анокта-контакт транзистор1947 елда Америка физиклары уйлап тапканДжон БардинһәмВальтер Браттейнастында эшләгәндәУильям ШоклиatКыңгырау лабораториясе.Өчесе 1956-нчы елны бүлештеләрФизика буенча Нобель премиясеирешүләре өчен.[3]Иң киң кулланылган транзистор төреметалл - оксид - ярымүткәргеч кыр-эффект транзисторы(MOSFET) уйлап тапканМөхәммәт АталлаһәмДаун Канг1959 елда Белл лабораториясендә.[4][5][6]Транзисторлар электроника өлкәсендә революция ясадылар, кечерәк һәм арзанрак юл ачтыларрадио,калькуляторлар, һәмсанаклар, башка нәрсәләр арасында.

Күпчелек транзисторлар бик чистакремний, һәм кайберләрегерманий, ләкин кайбер башка ярымүткәргеч материаллар кайвакыт кулланыла.Транзисторда бер генә корылма йөртүче булырга мөмкин, кыр эффектлы транзисторда, яисә ике төрле корылма йөртүче булырга мөмкин.биполяр тоташу транзисторыҗайланмалар.Белән чагыштыргандавакуум труба, транзисторлар гадәттә кечерәк һәм эшләү өчен аз көч таләп итәләр.Кайбер вакуум торбалар бик югары эш ешлыкларында яки югары эш көчәнешләрендә транзисторларга караганда өстенлекләргә ия.Күпчелек транзисторлар күп җитештерүчеләр тарафыннан стандартлаштырылган спецификацияләргә ясала.