IPD068P03L3G яңа оригиналь Электрон компонентлар IC чипсы MCU BOM сервисы IPD068P03L3G акциясендә

IPD068P03L3G яңа оригиналь Электрон компонентлар IC чип MCU BOM сервисы IPD068P03L3G үзенчәлекле рәсем

кыска тасвирлау:

Безгә электрон почта җибәрегез Күчереп алу

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Продукт сыйфатлары

ТYР	ТӘРESЕМӘ
Төркем	Дискрет ярымүткәргеч продуктлары Транзисторлар - FET, MOSFETs - Ялгыз
Mfr	Инфинон технологияләре
Серияләр	OptiMOS ™
Пакет	Магнитофон һәм ролик (TR) Киселгән тасма (КТ) Digi-Reel®
Продукция торышы	Актив
FET тибы	П-канал
Технология	MOSFET (металл оксиды)
Чыганак көчәнешенә агызыгыз (Vdss)	30 V.
Агым - өзлексез дренаж (Id) @ 25 ° C.	70A (Tc)
Драйвер көчәнеше (Макс Rds On, Min Rds On)	4.5В, 10В
Rds On (Макс) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Ид	2V @ 150µA
Капка заряды (Qg) (Макс) @ Vgs	91 nC @ 10 V.
Vgs (Макс)	± 20В
Керү сыйдырышлыгы (Ciss) (Макс) @ Vds	7720 pF @ 15 V.
FET үзенчәлеге	-
Көч тарату (Макс)	100W (Tc)
Эш температурасы	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
Монтаж төре	Faceир өсте
Тапшыручы җайланма пакеты	PG-TO252-3
Пакет / очрак	TO-252-3, DPak (2 лидер + кыстыргыч), SC-63
Төп продукт саны	IPD068

Документлар һәм Медиа

Ресурс төре	LINK
Мәгълүматлар	IPD068P03L3 G.
Башка бәйләнешле документлар	Партия номеры
Күрсәтелгән продукт	Мәгълүмат эшкәртү системалары
HTML мәгълүматлар таблицасы	IPD068P03L3 G.
EDA модельләре	Ultra Китапханәче тарафыннан IPD068P03L3GATMA1

Экологик һәм экспорт классификацияләре

АТРИБУТ	ТӘРESЕМӘ
RoHS статусы	ROHS3 туры килә
Дымга сизгерлек дәрәҗәсе (MSL)	1 (Чикләнмәгән)
Статуска ирешү	.Әр сүзнең
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

Өстәмә ресурслар

АТРИБУТ

ТӘРESЕМӘ

Башка исемнәр

IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Стандарт пакет

2500

Транзистор

Транзистор аярымүткәргеч җайланмасыияләнгәнкөчәйтүякикүчерүэлектр сигналлары һәмкөче.Транзистор - заманча төп төзелеш блокларының берсеэлектроника.[1]Улярымүткәргеч материал, гадәттә ким дигәндә өч беләнтерминалларэлектрон схемага тоташу өчен.А.көчәнешякитокбер пар транзистор терминалына кулланылган токны бүтән пар терминал аша контрольдә тота.Контроль (чыгу) көче контроль (кертү) көченнән югарырак булырга мөмкин, транзистор сигналны көчәйтә ала.Кайбер транзисторлар аерым пакетланган, ләкин тагын бик күп урнаштырылганинтеграль схемалар.

Австро-Венгр физик Jлий Эдгар Лилиенфельдтөшенчәсен тәкъдим иттекыр-эффект транзисторы1926-нчы елда, ләкин ул вакытта эш җайланмасы төзү мөмкин булмаган.[2]Беренче эш җайланмасы анокта-контакт транзистор1947 елда Америка физиклары уйлап тапканДжон БардинһәмВальтер Браттейнастында эшләгәндәУильям ШоклиatКыңгырау лабораториясе.Өчесе 1956-нчы елны бүлештеләрФизика буенча Нобель премиясеирешүләре өчен.[3]Иң киң кулланылган транзистор төреметалл - оксид - ярымүткәргеч кыр-эффект транзисторы(MOSFET) уйлап тапканМөхәммәт АталлаһәмДаун Канг1959 елда Белл лабораториясендә.[4][5][6]Транзисторлар электроника өлкәсендә революция ясадылар, кечерәк һәм арзанрак юл ачтыларрадио,калькуляторлар, һәмсанаклар, башка нәрсәләр арасында.

Күпчелек транзисторлар бик чистакремний, һәм кайберләрегерманий, ләкин кайбер башка ярымүткәргеч материаллар кайвакыт кулланыла.Транзисторда бер генә корылма йөртүче булырга мөмкин, кыр эффектлы транзисторда, яисә ике төрле корылма йөртүче булырга мөмкин.биполяр тоташу транзисторыҗайланмалар.Белән чагыштыргандавакуум труба, транзисторлар гадәттә кечерәк һәм эшләү өчен аз көч таләп итәләр.Кайбер вакуум торбалар бик югары эш ешлыкларында яки югары эш көчәнешләрендә транзисторларга караганда өстенлекләргә ия.Күпчелек транзисторлар күп җитештерүчеләр тарафыннан стандартлаштырылган спецификацияләргә ясала.

Алдагы: IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC Чип Яңа Электрон компонент

Алга: AQX IRF7416TRPBF Яңа һәм оригиналь интеграль схема ic чипы IRF7416TRPBF

Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез