заказ_бг

продуктлар

IRF100S201 өстенлек тәэмин итү акциясе IRF100S201 өчен яңа оригиналь Smart IC Chips BOM сервисы

кыска тасвирлау:


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Продукт сыйфатлары

ТYР ТӘРESЕМӘ
Төркем Дискрет ярымүткәргеч продуктлары

Транзисторлар - FET, MOSFETs - Ялгыз

Mfr Инфинон технологияләре
Серияләр HEXFET®, StrongIRFET ™
Пакет Магнитофон һәм ролик (TR)

Киселгән тасма (КТ)

Digi-Reel®

Продукция торышы Актив
FET тибы N-Channel
Технология MOSFET (металл оксиды)
Чыганак көчәнешенә агызыгыз (Vdss) 100 V.
Агым - өзлексез дренаж (Id) @ 25 ° C. 192A (Tc)
Драйвер көчәнеше (Макс Rds On, Min Rds On) 10В
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 115A, 10V
Vgs (th) (Макс) @ Ид 4V @ 250µA
Капка заряды (Qg) (Макс) @ Vgs 255 nC @ 10 V.
Vgs (Макс) ± 20В
Керү сыйдырышлыгы (Ciss) (Макс) @ Vds 9500 pF @ 50 V.
FET үзенчәлеге -
Көч тарату (Макс) 441W (Tc)
Эш температурасы -55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
Монтаж төре Faceир өсте
Тапшыручы җайланма пакеты PG-TO263-3
Пакет / очрак TO-263-3, D²Pak (2 лидер + кыстыргыч), TO-263AB
Төп продукт саны IRF100

Документлар һәм Медиа

Ресурс төре LINK
Мәгълүматлар IRF100 (B, S) 201
Башка бәйләнешле документлар ИР өлешләрен номерлау системасы
Күрсәтелгән продукт Мәгълүмат эшкәртү системалары
HTML мәгълүматлар таблицасы IRF100 (B, S) 201

Экологик һәм экспорт классификацияләре

АТРИБУТ ТӘРESЕМӘ
RoHS статусы ROHS3 туры килә
Дымга сизгерлек дәрәҗәсе (MSL) 1 (Чикләнмәгән)
Статуска ирешү .Әр сүзнең
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Өстәмә ресурслар

АТРИБУТ ТӘРESЕМӘ
Башка исемнәр IRF100S201CT

IRF100S201-ND

SP001550868

IFEINFIRF100S201

IRF100S201TR

IRF100S201DKR

2156-IRF100S201

Стандарт пакет 800

Транзистор - ярымүткәргеч җайланма, ул гадәттә көчәйткечләрдә яки электрон контроль ачкычларда кулланыла.Транзисторлар - компьютерларның, кәрәзле телефоннарның һәм бүтән заманча электрон схемаларның эшләвен көйләүче төп блоклар.

Аларның тиз җавап тизлеге һәм югары төгәллеге аркасында транзисторлар санлы һәм аналог функцияләр өчен кулланылырга мөмкин, шул исәптән көчәйтү, күчү, көчәнеш көйләүчесе, сигнал модуляциясе һәм осиллатор.Транзисторларны индивидуаль яисә бик кечкенә мәйданда урнаштырырга мөмкин, алар интеграль схема кысаларында 100 миллион яки күбрәк транзистор тотып тора ала.

Электрон труба белән чагыштырганда, транзисторның күп өстенлекләре бар:

1.Компонентның куллануы юк

Труба нинди генә яхшы булмасын, катод атомнарының үзгәрүе һәм хроник һава агып китүе аркасында әкренләп начарайячак.Техник сәбәпләр аркасында, транзисторлар беренче ясалганда шул ук проблемага дучар булдылар.Материалларның алга китүе һәм күп якларның камилләшүе белән, транзисторлар гадәттә электрон торбаларга караганда 100-1000 тапкыр озаграк тора.

2. Бик аз көч кулланыгыз

Бу электрон трубаның уннан бере яки дистәсе.Электрон труба кебек ирекле электроннар чыгару өчен филаментны җылытырга кирәкми.Транзистор радиосына елына алты ай тыңлау өчен берничә коры батарея кирәк, моны труба радиосы өчен эшләү кыен.

3. preылытырга кирәкми

Аны кабызганнан соң эшләгез.Мәсәлән, транзистор радиосы кабызылганнан соң сүнә, һәм транзистор телевидениесе кабызылганнан соң рәсем куя.Вакуум труба җиһазлары моны эшли алмый.Ботинкадан соң тавышны ишетү өчен бераз көтегез, рәсемне карагыз.Билгеле, хәрби, үлчәү, язу һ.б. транзисторлар бик отышлы.

4. Көчле һәм ышанычлы

Электрон трубага караганда 100 тапкыр ышанычлырак, шокка каршы тору, тибрәнү каршылыгы, бу электрон труба белән чагыштыргысыз.Моннан тыш, транзисторның зурлыгы электрон трубаның зурлыгының уннан береннән йөзенә кадәр, бик аз җылылык чыгару, кечкенә, катлаулы, ышанычлы схемалар проектлау өчен кулланыла ала.Транзистор җитештерү процессы төгәл булса да, процесс гади, бу компонентларның урнаштыру тыгызлыгын яхшырту өчен ярдәм итә.


  • Алдагы:
  • Алга:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез