Яңа һәм оригиналь электрон компонент IRF7103TRPBF IC Чип
Продукт сыйфатлары
| ТYР | ТӘРESЕМӘ |
| Төркем | Дискрет ярымүткәргеч продуктлары |
| Mfr | Инфинон технологияләре |
| Серияләр | HEXFET® |
| Пакет | Магнитофон һәм ролик (TR) Киселгән тасма (КТ) Digi-Reel® |
| Продукция торышы | Актив |
| FET тибы | 2 N-канал (икеләтә) |
| FET үзенчәлеге | Стандарт |
| Чыганак көчәнешенә агызыгыз (Vdss) | 30В |
| Агым - өзлексез дренаж (Id) @ 25 ° C. | 6.5А |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs (th) (Макс) @ Ид | 1В @ 250µА |
| Капка заряды (Qg) (Макс) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Керү сыйдырышлыгы (Ciss) (Макс) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Көч - макс | 2W |
| Эш температурасы | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| Монтаж төре | Faceир өсте |
| Пакет / очрак | 8-SOIC (0,154 ″, 3,90 мм киңлек) |
| Тапшыручы җайланма пакеты | 8-SO |
| Төп продукт саны | IRF7313 |
Документлар һәм Медиа
| Ресурс төре | LINK |
| Мәгълүматлар | IRF7313PbF |
| Башка бәйләнешле документлар | ИР өлешләрен номерлау системасы |
| Продукцияне укыту модульләре | Дискрет көч MOSFETs 40V һәм аста |
| Күрсәтелгән продукт | Мәгълүмат эшкәртү системалары |
| HTML мәгълүматлар таблицасы | IRF7313PbF |
| Симуляция модельләре | IRF7313 Сабир моделе |
Экологик һәм экспорт классификацияләре
| АТРИБУТ | ТӘРESЕМӘ |
| RoHS статусы | ROHS3 туры килә |
| Дымга сизгерлек дәрәҗәсе (MSL) | 1 (Чикләнмәгән) |
| Статуска ирешү | .Әр сүзнең |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Өстәмә ресурслар
| АТРИБУТ | ТӘРESЕМӘ |
| Башка исемнәр | IRF7313PBFDKR SP001562160 IRF7313PBFCT IRF7313PBFTR * IRF7313TRPBF |
| Стандарт пакет | 4000 |
Транзистор - ярымүткәргеч җайланма, ул гадәттә көчәйткечләрдә яки электрон контроль ачкычларда кулланыла.Транзисторлар - компьютерларның, кәрәзле телефоннарның һәм бүтән заманча электрон схемаларның эшләвен көйләүче төп блоклар.
Аларның тиз җавап тизлеге һәм югары төгәллеге аркасында транзисторлар санлы һәм аналог функцияләр өчен кулланылырга мөмкин, шул исәптән көчәйтү, күчү, көчәнеш көйләүчесе, сигнал модуляциясе һәм осиллатор.Транзисторларны индивидуаль яисә бик кечкенә мәйданда урнаштырырга мөмкин, алар интеграль схема кысаларында 100 миллион яки күбрәк транзистор тотып тора ала.
Электрон труба белән чагыштырганда, транзисторның күп өстенлекләре бар:
1.Компонентның куллануы юк
Труба нинди генә яхшы булмасын, катод атомнарының үзгәрүе һәм хроник һава агып китүе аркасында әкренләп начарайячак.Техник сәбәпләр аркасында, транзисторлар беренче ясалганда шул ук проблемага дучар булдылар.Материалларның алга китүе һәм күп якларның камилләшүе белән, транзисторлар гадәттә электрон торбаларга караганда 100-1000 тапкыр озаграк тора.
2. Бик аз көч кулланыгыз
Бу электрон трубаның уннан бере яки дистәсе.Электрон труба кебек ирекле электроннар чыгару өчен филаментны җылытырга кирәкми.Транзистор радиосына елына алты ай тыңлау өчен берничә коры батарея кирәк, моны труба радиосы өчен эшләү кыен.
3. preылытырга кирәкми
Аны кабызганнан соң эшләгез.Мәсәлән, транзистор радиосы кабызылганнан соң сүнә, һәм транзистор телевидениесе кабызылганнан соң рәсем куя.Вакуум труба җиһазлары моны эшли алмый.Ботинкадан соң тавышны ишетү өчен бераз көтегез, рәсемне карагыз.Билгеле, хәрби, үлчәү, язу һ.б. транзисторлар бик отышлы.
4. Көчле һәм ышанычлы
Электрон трубага караганда 100 тапкыр ышанычлырак, шокка каршы тору, тибрәнү каршылыгы, бу электрон труба белән чагыштыргысыз.Моннан тыш, транзисторның зурлыгы электрон трубаның зурлыгының уннан береннән йөзенә кадәр, бик аз җылылык чыгару, кечкенә, катлаулы, ышанычлы схемалар проектлау өчен кулланыла ала.Транзистор җитештерү процессы төгәл булса да, процесс гади, бу компонентларның урнаштыру тыгызлыгын яхшырту өчен ярдәм итә.
