Электрон компонентлар IC чиплары интеграль схемалар IC TPS74701QDRCRQ1 бер урын сатып алу

Ваферлар белән чиплар арасындагы бәйләнеш

Вафиннарга күзәтү

Ваферлар белән чиплар арасындагы бәйләнешне аңлар өчен, түбәндә вафер һәм чип белеменең төп элементларына күзәтү ясала.

(i) Вафер нәрсә ул

Ваферлар - кремний ярымүткәргеч интеграль схемалар җитештерүдә кулланыла торган кремний ваферлар, алар түгәрәк формасы аркасында вафер дип атала;алар кремний вафаларда эшкәртелергә мөмкин, төрле схема компонентларын формалаштырырга һәм махсус электр функцияләре белән интеграль челтәр продуктларына әверелергә.Ваферлар өчен чимал кремний, һәм җир кабыгы өслегендә кремний диоксиды бетмәс тәэмин ителә.Кремний газы рудасы электр дугасы мичләрендә эшкәртелә, гидрохлор кислотасы белән хлорланган һәм 99.99999999999% чисталыгы белән югары чисталык полисиликоны чыгару өчен дистиллланган.

(ii) ваферлар өчен төп чимал

Кремний кварц комыннан чистартыла, вафиннар кремний элементыннан чистартыла (99,999%), аннары кремний чыбыкларга ясала, интеграль схемалар өчен кварц ярымүткәргечләр өчен материалга әйләнә.

(iii) вафер җитештерү процессы

Ваферлар - ярымүткәргеч чиплар җитештерү өчен төп материал.Ярымүткәргеч интеграль схемалар өчен иң мөһим чимал кремний, шуңа күрә кремний вафларына туры килә.

Кремний табигатьтә силикатлар яки кыяларда һәм шагылларда кремний диоксиды рәвешендә киң очрый.Кремний ваферларын җитештерүне өч төп этапта ясарга була: кремнийны эшкәртү һәм чистарту, бер кристалл кремний үсеше, вафер формалаштыру.

Беренчесе - кремнийны чистарту, монда ком һәм шагыл чималы якынча 2000 ° C температурада һәм углерод чыганагы булганда электр дугасы миченә салына.Highгары температурада ком һәм шагылдагы углерод һәм кремний диоксиды химик реакция кичерәләр (углерод кислород белән кушылалар, кремний калдыралар) саф кремнийны 98% чисталыгы белән алалар, шулай ук ​​металлургия класслы кремний дип тә аталалар, бу булмаган; микроэлектрон җайланмалар өчен җитәрлек чиста, чөнки ярымүткәргеч материалларның электр үзлекләре пычраклар концентрациясенә бик сизгер.Металлургия класслы кремний тагын да чистартыла: ватылган металлургия класслы кремний сыек силан чыгару өчен газлы водород хлорид белән хлорлашу реакциясенә дучар була, аннары чистартылган поликристалл кремнийны чистарта торган процесс белән дистиллаштырыла һәм химик яктан киметелә. %, электрон класслы кремнийга әйләнә.

Киләсе монокристалл кремний үсеше, иң тарту ысулы (CZ ысулы).Түбән схемада күрсәтелгәнчә, югары чисталык полисиликоны кварцка урнаштырыла һәм тышкы яктан графит җылыткыч белән өзлексез җылытыла, якынча 1400 ° C температураны саклый.Мичтәге газ, гадәттә, инерт булып тора, полисиликонны кирәкмәгән химик реакцияләр тудырмыйча эретергә мөмкинлек бирә.Бер кристалл формалаштыру өчен, кристаллларның юнәлеше дә контрольдә тотыла: кристалл полисиликон эретү белән әйләнә, орлык кристаллына чумдырыла, һәм рәсем таягы каршы якка алып барыла, ә әкрен һәм вертикаль рәвештә аны өскә күтәреп. кремний эретү.Эретелгән полисиликон орлык кристаллының төбенә ябыша һәм орлык кристаллының тактасы тәртибе юнәлешендә өскә үсә.