заказ_бг

продуктлар

Акциядә оригиналь яңа MOSFET транзистор диод Тиристор SOT-223 BSP125H6327 IC чип электрон компоненты

кыска тасвирлау:


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Продукт сыйфатлары

ТYР ТӘРESЕМӘ
Төркем Дискрет ярымүткәргеч продуктлары

Транзисторлар - FET, MOSFETs - Ялгыз

Mfr Инфинон технологияләре
Серияләр SIPMOS®
Пакет Магнитофон һәм ролик (TR)

Киселгән тасма (КТ)

Digi-Reel®

Продукция торышы Актив
FET тибы N-Channel
Технология MOSFET (металл оксиды)
Чыганак көчәнешенә агызыгыз (Vdss) 600 V.
Агым - өзлексез дренаж (Id) @ 25 ° C. 120МА (Та)
Драйвер көчәнеше (Макс Rds On, Min Rds On) 4.5В, 10В
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 45 Ом @ 120мА, 10В
Vgs (th) (Макс) @ Ид 2.3V @ 94µA
Капка заряды (Qg) (Макс) @ Vgs 6.6 nC @ 10 V.
Vgs (Макс) ± 20В
Керү сыйдырышлыгы (Ciss) (Макс) @ Vds 150 pF @ 25 V.
FET үзенчәлеге -
Көч тарату (Макс) 1.8W (Ta)
Эш температурасы -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Монтаж төре Faceир өсте
Тапшыручы җайланма пакеты PG-SOT223-4
Пакет / очрак TO-261-4, TO-261AA
Төп продукт саны BSP125

Документлар һәм Медиа

Ресурс төре LINK
Мәгълүматлар BSP125
Башка бәйләнешле документлар Партия номеры
Күрсәтелгән продукт Мәгълүмат эшкәртү системалары
HTML мәгълүматлар таблицасы BSP125
Симуляция модельләре MOSFET OptiMOS ™ 240V, 400V, 600V һәм 800V N-канал тәмләткеч моделе

Экологик һәм экспорт классификацияләре

АТРИБУТ ТӘРESЕМӘ
RoHS статусы ROHS3 туры килә
Дымга сизгерлек дәрәҗәсе (MSL) 1 (Чикләнмәгән)
Статуска ирешү .Әр сүзнең
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Өстәмә ресурслар

АТРИБУТ ТӘРESЕМӘ
Башка исемнәр SP001058576

BSP125H6327XTSA1TR

BSP125H6327XTSA1CT

BSP125H6327XTSA1DKR

Стандарт пакет 1000

Транзистор - ярымүткәргеч җайланма, ул гадәттә көчәйткечләрдә яки электрон контроль ачкычларда кулланыла.Транзисторлар - компьютерларның, кәрәзле телефоннарның һәм бүтән заманча электрон схемаларның эшләвен көйләүче төп блоклар.

Аларның тиз җавап тизлеге һәм югары төгәллеге аркасында транзисторлар санлы һәм аналог функцияләр өчен кулланылырга мөмкин, шул исәптән көчәйтү, күчү, көчәнеш көйләүчесе, сигнал модуляциясе һәм осиллатор.Транзисторларны индивидуаль яисә бик кечкенә мәйданда урнаштырырга мөмкин, алар интеграль схема кысаларында 100 миллион яки күбрәк транзистор тотып тора ала.

Электрон труба белән чагыштырганда, транзисторның күп өстенлекләре бар:

1.Компонентның куллануы юк

Труба нинди генә яхшы булмасын, катод атомнарының үзгәрүе һәм хроник һава агып китүе аркасында әкренләп начарайячак.Техник сәбәпләр аркасында, транзисторлар беренче ясалганда шул ук проблемага дучар булдылар.Материалларның алга китүе һәм күп якларның камилләшүе белән, транзисторлар гадәттә электрон торбаларга караганда 100-1000 тапкыр озаграк тора.

2. Бик аз көч кулланыгыз

Бу электрон трубаның уннан бере яки дистәсе.Электрон труба кебек ирекле электроннар чыгару өчен филаментны җылытырга кирәкми.Транзистор радиосына елына алты ай тыңлау өчен берничә коры батарея кирәк, моны труба радиосы өчен эшләү кыен.

3. preылытырга кирәкми

Аны кабызганнан соң эшләгез.Мәсәлән, транзистор радиосы кабызылганнан соң сүнә, һәм транзистор телевидениесе кабызылганнан соң рәсем куя.Вакуум труба җиһазлары моны эшли алмый.Ботинкадан соң тавышны ишетү өчен бераз көтегез, рәсемне карагыз.Билгеле, хәрби, үлчәү, язу һ.б. транзисторлар бик отышлы.

4. Көчле һәм ышанычлы

Электрон трубага караганда 100 тапкыр ышанычлырак, шокка каршы тору, тибрәнү каршылыгы, бу электрон труба белән чагыштыргысыз.Моннан тыш, транзисторның зурлыгы электрон трубаның зурлыгының уннан береннән йөзенә кадәр, бик аз җылылык чыгару, кечкенә, катлаулы, ышанычлы схемалар проектлау өчен кулланыла ала.Транзистор җитештерү процессы төгәл булса да, процесс гади, бу компонентларның урнаштыру тыгызлыгын яхшырту өчен ярдәм итә.


  • Алдагы:
  • Алга:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез