Яңа оригиналь MOSFET TO-220-3 IRFB4321PBF
Продукт сыйфатлары
| ТYР | ТӘРESЕМӘ |
| Төркем | Дискрет ярымүткәргеч продуктлары |
| Mfr | Халыкара төзәтүче |
| Серияләр | HEXFET® |
| Пакет | Күпчелек |
| Продукция торышы | Актив |
| FET тибы | N-Channel |
| Технология | MOSFET (металл оксиды) |
| Чыганак көчәнешенә агызыгыз (Vdss) | 150 V. |
| Агым - өзлексез дренаж (Id) @ 25 ° C. | 85A (Tc) |
| Драйвер көчәнеше (Макс Rds On, Min Rds On) | 10В |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (th) (Макс) @ Ид | 5V @ 250µA |
| Капка заряды (Qg) (Макс) @ Vgs | 110 nC @ 10 V. |
| Vgs (Макс) | ± 30В |
| Керү сыйдырышлыгы (Ciss) (Макс) @ Vds | 4460 pF @ 50 V. |
| FET үзенчәлеге | - |
| Көч тарату (Макс) | 350W (Tc) |
| Эш температурасы | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| Монтаж төре | Чокыр аша |
| Тапшыручы җайланма пакеты | TO-220AB |
| Пакет / очрак | TO-220-3 |
Документлар һәм Медиа
| Ресурс төре | LINK |
| Мәгълүматлар | Спецификация |
Экологик һәм экспорт классификацияләре
| АТРИБУТ | ТӘРESЕМӘ |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
Өстәмә ресурслар
| АТРИБУТ | ТӘРESЕМӘ |
| Башка исемнәр | IFEIRFIRFB4321PBF 2156-IRFB4321PBF |
| Стандарт пакет | 1 |
Транзистор - ярымүткәргеч җайланма, ул гадәттә көчәйткечләрдә яки электрон контроль ачкычларда кулланыла.Транзисторлар - компьютерларның, кәрәзле телефоннарның һәм бүтән заманча электрон схемаларның эшләвен көйләүче төп блоклар.
Аларның тиз җавап тизлеге һәм югары төгәллеге аркасында транзисторлар санлы һәм аналог функцияләр өчен кулланылырга мөмкин, шул исәптән көчәйтү, күчү, көчәнеш көйләүчесе, сигнал модуляциясе һәм осиллатор.Транзисторларны индивидуаль яисә бик кечкенә мәйданда урнаштырырга мөмкин, алар интеграль схема кысаларында 100 миллион яки күбрәк транзистор тотып тора ала.
Электрон труба белән чагыштырганда, транзисторның күп өстенлекләре бар:
1.Компонентның куллануы юк
Труба нинди генә яхшы булмасын, катод атомнарының үзгәрүе һәм хроник һава агып китүе аркасында әкренләп начарайячак.Техник сәбәпләр аркасында, транзисторлар беренче ясалганда шул ук проблемага дучар булдылар.Материалларның алга китүе һәм күп якларның камилләшүе белән, транзисторлар гадәттә электрон торбаларга караганда 100-1000 тапкыр озаграк тора.
2. Бик аз көч кулланыгыз
Бу электрон трубаның уннан бере яки дистәсе.Электрон труба кебек ирекле электроннар чыгару өчен филаментны җылытырга кирәкми.Транзистор радиосына елына алты ай тыңлау өчен берничә коры батарея кирәк, моны труба радиосы өчен эшләү кыен.
3. preылытырга кирәкми
Аны кабызганнан соң эшләгез.Мәсәлән, транзистор радиосы кабызылганнан соң сүнә, һәм транзистор телевидениесе кабызылганнан соң рәсем куя.Вакуум труба җиһазлары моны эшли алмый.Ботинкадан соң тавышны ишетү өчен бераз көтегез, рәсемне карагыз.Билгеле, хәрби, үлчәү, язу һ.б. транзисторлар бик отышлы.
4. Көчле һәм ышанычлы
Электрон трубага караганда 100 тапкыр ышанычлырак, шокка каршы тору, тибрәнү каршылыгы, бу электрон труба белән чагыштыргысыз.Моннан тыш, транзисторның зурлыгы электрон трубаның зурлыгының уннан береннән йөзенә кадәр, бик аз җылылык чыгару, кечкенә, катлаулы, ышанычлы схемалар проектлау өчен кулланыла ала.Транзистор җитештерү процессы төгәл булса да, процесс гади, бу компонентларның урнаштыру тыгызлыгын яхшырту өчен ярдәм итә.
